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Região: Samsung e SK Hynix modernizam fábricas na China para produzir chips de memória mais avançados

Acompanhe os detalhes e principais informações apuradas sobre este caso.

Por Redatores da Empire Cidades 21 de outubro de 2026 às 20:45
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Região: Samsung e SK Hynix modernizam fábricas na China para produzir chips de memória mais avançados
Foto: Divulgação / Redação Empire Cidades
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A Samsung Electronics e a SK Hynix estão modernizando suas fábricas na China para produzir chips de memória mais avançados, em meio ao crescimento da demanda por inteligência artificial (IA) e ao avanço da concorrente chinesa Yangtze Memory Technologies (YMTC). Segundo fontes ouvidas pela Reuters , as fabricantes sul-coreanas planejam aumentar o número de camadas dos chips NAND produzidos no país, tecnologia que permite armazenar mais dados em um mesmo componente. Os projetos, porém, enfrentam restrições impostas pelos EUA à transferência de equipamentos para a indústria chinesa de semicondutores.

As duas empresas precisam obter licenças anuais do governo americano para instalar determinados equipamentos fabricados nos EUA em suas unidades chinesas. Em 2025, o Departamento de Comércio americano afirmou que pretendia autorizar a continuidade das operações das fábricas existentes, mas não a expansão da capacidade produtiva ou a modernização tecnológica.

Segundo a Reuters, ainda não foi possível determinar quais equipamentos necessários aos projetos receberam autorização. A Samsung informou que as atualizações estão em andamento, em consulta com Washington, e que seguem as regras de exportação. A SK Hynix também afirmou que instala equipamentos em sua unidade de Dalian em coordenação com o governo americano.

A Samsung pretende adaptar sua fábrica de Xi’an, no noroeste da China, para produzir chips NAND de 286 camadas, segundo fontes ouvidas pela Reuters. A unidade responde por cerca de 40% da produção global desse tipo de memória da empresa e fabrica atualmente componentes com aproximadamente 200 camdas. O projeto, chamado internamente de “Monami”, prevê atingir uma produção mensal de 5 mil wafers em dezembro de 2026 e chegar a 40 mil em dezembro de 2027.

Wafers são discos de silício nos quais diversos chips são fabricados antes de serem separados. A empresa afirma que a iniciativa atende à demanda de clientes globais, inclusive americanos, e não representa uma expansão da capacidade produtiva nem a construção de novas instalações.

A SK Hynix, por sua vez, pretende produzir chips NAND com pelo menos 240 camadas em sua fábrica de Dalian, no nordeste chinês, onde atualmente fabrica componentes de 192 camadas. A unidade foi adquirida em 2021, quando a companhia comprou as operações de memória NAND da Intel, e permanece como a única fábrica desse tipo de chip vinculada a esse negócio, que passou a se chamar Solidigm.

Segundo uma das fontes ouvidas pela Reuters, a empresa tem autorização para fabricar componentes de até 240 camadas e pode solicitar permissão para pesquisar e desenvolver chips com mais de 300 camadas na unidade. A companhia também negocia com o governo do presidente Donald Trump planos para construir uma nova fábrica de NAND nos EUA.

O avanço da YMTC aumenta a pressão sobre as fabricantes sul-coreanas. Segundo dados da consultoria Omdia citados pela Reuters, a empresa chinesa detinha 38,5% do mercado de chips NAND na China no segundo trimestre de 2026, ante 28% em 2025. No mesmo período de comparação, a participação da Samsung recuou de 36% para 33,5%, enquanto a da SK Hynix caiu de 20% para 17%.

A YMTC produz principalmente chips de 160 e 232 camadas, mas também fabrica volumes menores de componentes de 294 camadas e planeja avançar para produtos com mais de 300 camadas. Fora da China, a Samsung já comercializa chips de até 286 camadas e apresentou, em agosto, um protótipo com mais de 400. A SK Hynix vende componentes de até 321 camadas. A memória NAND é usada em celulares, computadores e unidades de armazenamento de centros de dados, cuja demanda cresce com a expansão da IA. Quanto maior o número de camadas, maior pode ser a capacidade de armazenamento por chip e menor o custo por unidade de dados.

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