Presidente da Micron descarta superioridade de tecnologia de chips da rival chinesa CXMT

A Micron não inclui a tecnologia 4F-squared em seu "roteiro de desenvolvimento atual", após tê-la avaliado por mais de 20 anos, disse Scott DeBoer, presidente e diretor de tecnologia e produtos da empresa, em entrevista ao “Nikkei Asia” na quarta-feira.

Em vez disso, a companhia continuará apostando na estrutura 6F-squared e na tecnologia 3D DRAM de próxima geração.

A memória de acesso aleatório dinâmica (DRAM) é um componente fundamental utilizado em diversos tipos de dispositivos eletrônicos, desde computadores e smartphones até servidores de data centers e automóveis. A DRAM armazena dados em unidades chamadas células, e a área ocupada por uma única célula é designada como "F-squared".

A maioria dos chips de memória atuais utiliza a estrutura 6F-squared, que se refere ao espaço ocupado por cada célula no chip. Teoricamente, quanto menor esse número, mais compactadas ficam as células, permitindo uma maior capacidade de armazenamento.

No início deste mês, a chinesa ChangXin Memory Technologies (CXMT) anunciou um avanço importante em uma arquitetura de células de memória denominada 4F-squared, que permitiria acomodar mais células em um chip de mesmo tamanho em comparação com a estrutura 6F-squared.

A notícia provocou uma queda nas ações de outras fabricantes de chips de memória. A CXMT é a quarta maior fabricante de chips DRAM do mundo, atrás de Samsung, SK Hynix e Micron.

No entanto, durante um webinar realizado na quarta-feira, DeBoer afirmou que parte da discussão recente sobre 4F-squared versus 6F-squared não passa de "cortina de fumaça", uma vez que a arquitetura 4F-squared não garante, necessariamente, uma capacidade maior. "É, de certa forma, um mito que a arquitetura 4F ofereça, de fato, alguma vantagem em relação à 6F. O que define a DRAM é o espaçamento entre capacitores", afirmou DeBoer, acrescentando que a 4F é "mais complexa e cara", sem proporcionar grandes benefícios reais sobre a 6F.

O espaçamento entre capacitores é a distância entre os centros de capacitores adjacentes em um chip de DRAM. Ele ajuda a determinar a densidade com que as células de memória, responsáveis pelo armazenamento de dados, podem ser organizadas.

Como cada capacitor precisa armazenar carga suficiente para permitir uma leitura confiável, reduzir esse espaçamento é uma tarefa muito mais difícil do que simplesmente diminuir o tamanho dos transistores.

"Ao pensarmos em escalar a arquitetura 4F além do patamar atual, esbarramos em questões físicas", explicou DeBoer, ressaltando que os limites da física fundamental acabarão direcionando o design de chips de memória para a DRAM 3D, em vez da 4F.

"Na DRAM 3D, a estrutura é totalmente vertical; portanto, os capacitores estão dispostos em uma orientação diferente. Consequentemente, a otimização e a capacidade de desenvolvimento da DRAM 3D seguem uma lógica de escala distinta", disse DeBoer ao “Nikkei Asia”.

Por outro lado, resta saber se a CXMT conseguirá ampliar a produção de chips de memória baseados na arquitetura 4F sem ter acesso às máquinas de litografia por ultravioleta extremo (EUV) da fabricante holandesa ASML — equipamentos que estão sujeitos a controles de exportação impostos pelos Estados Unidos.

"Para a Micron, a necessidade de utilizar a tecnologia EUV permanece exatamente a mesma, independentemente de o chip ser fabricado com a arquitetura 4F ou 6F", observou DeBoer.